Новейшие MOSFET CSD19506KCS и CSD19536KCS

09 Сен 2014     Рубрика: Новости
arrow  arrow

Новейшие MOSFET CSD19506KCS и CSD19536KCS от TI

 

 

Транзисторы MOSFET

 

Новейшие MOSFET CSD19506KCS и CSD19536KCS – к выпуску которых приступила широко известная Американская компания Texas Instruments.Это абсолютно новые N-канальные MOSFET транзисторы с рабочим напряжением 80 V и 100 V с максимально малым сопротивлением открытого канала не имеющими аналогов среди других профессиональных производителей таких приборов в корпусе ТО-220. От этого параметра напрямую зависит температурный режим транзистора работающего в ключевом режиме. Статические характеристики этих элементов в высокой степени сопоставимы, только с трёхэлектродным, силовым биполярным транзистором (IGBT),который применяется в основном импульсных блоках питания в качестве мощного электронного ключа, а динамические характеристики CSD19506KCS и CSD19536KCS во много раз превосходят IGBT.

 

 

Силовые MOSFET-транзисторы изготовлены по совершенно новой технологии NexFET,которая в значительной мере улучшает электрические параметры транзисторов и создает великолепные возможности по их модернизации и усовершенствованию.Эти новинки,в следствии низкого сопротивления открытого канала могут быть использованы с высокой эффективностью как в устройствах синхронного преобразования напряжения так и в преобразователях частоты,а также в системах управления двигателями.То есть транзисторы этой серии способны работать во всех приборах,где необходимым условием является низкое сопротивление открытого канала.

 

  Параметры транзисторов MOSFET

 

При имеющимся на затворе напряжении 10V,стандартное сопротивление канала передачи транзистора CSD19536KCS составляет всего 2,3 mOhms и является самым низким значением в мире для 100-вольтовых транзисторов MOSFET в корпусе ТО-220.Как уже говорилось выше,использование представленных здесь новинок в импульсных преобразователей напряжения,где основным критерием параметров является величина заряда затвора и сопротивление канала,то например для системы управления двигателем непременно важным будет составляющая по току и диапазон стабильной работы прибора.Значение протекающего максимального тока во времени не более 1мс может достигать 390А,а рабочий номинальный ток равняется 155А.Этого вполне достаточно,что бы справится с мощными пусковыми токами двигателей.Транзисторы MOSFET CSD19506KCS и CSD19536KCS также с успехом могут быть использованы в паре с большинством чипов пре-драйверов серии DRV8x,которые предназначены для управления схемой двигателя.

 

Параметры транзисторов MOSFET смотрите в таблице ниже

 

Характеристики MOSFET

Rambler's Top100 Яндекс.Метрика